耐電(diàn)壓（TV）

兩引線間(jiān)

無擊穿或飛(fēi)弧

兩引線間(jiān)施加50/60H  ¥♦βλY1：4000VAC/ 60秒(miǎo) Y2：2500V¶λ AC/60秒(miǎo);最大(dà)洩露電(diàγ↔¥δn)流50 mA

引線與外(wài)表

 将電(diàn)容器(qì)的(de)兩條$Ω​Ω引線連接在一(yī)起，本體(tǐ)部分(fēn)插¥Ωγ入裝有(yǒu)小(xiǎo)金(jīn)屬球容器(qì)內(n ↑èi)（金(jīn)屬球與引線間(jiān)的(de)距離(lí)不(bù)πε©小(xiǎo)于1.5mm）,在金(jīn)屬球與引線之間(ji☆÷ ✔ān)施加50/60Hz （Y1：4000VAC/60秒('↑miǎo)；Y2：2500VAC/60秒(miǎo)）

絕緣阻抗（I.R.））

≥10000MΩ

将電(diàn)容器(qì)兩引線間(jiān)施加500VD，充電(di↓♣σàn)時(shí)間(jiān)60±5秒₹£(miǎo)

靜(jìng)電(diàn)容量和(hé)誤差
     （CAP&©§;Tolerance）

規定的(de)容量和(hé)誤差範圍內(nèi)

測試頻(pín)率:1±0.2KHz &nb♦≈¶sp; 測試電(diàn)壓： 1.0±0.2 &Ω↑nbsp;  Vrms （20±2℃）

損耗角正切(tgδ)

≤250×10-4

測試條件(jiàn)與靜(jìng)電(diàn)容量♣∞☆​相(xiàng)同

Withstand    Voltage(TV)α​↓

Between    ε$Terminals

Should be    no£   remarkable and abnormality

Apply    Y1:4000VAC;Y2:2500®•αVAC/60sec ;charge/discharge curren&≠λt should not exceed 50A

Between    Term£ Ω±inials and Encloser

Insert the    ca✘✔πλpacitor body filled with a diame'♠'ter of 1 mm metal ball €β∑in the container,but    keepφ≤& away from the end of 2mm ontology is​¶₽ not inserted;Test volt♠♠✔₽age applied   &nΩ₩πbsp;between the shor$∏©↓t circuit loop terminal and ‍ ≥≥a metal ball

Insulation
          &n☆σbsp;     Resi↑α₩stance(I.R.)

≥10000MΩ

Applied    5OOVDC betwe'↔en two terminals ,dura÷€tion:5 second

Capacitance
(C)&    Toleranc☆☆ e

W it hi n&n ↓ ↔bsp;the    specifie₹§α₽d tolerance

Measuring    ±αFrequency:1±0.2KHz
Measuring    volta€​¶ge： 1.0±0.2   &nb ≤sp;Vrms （20±2℃）

Dissipation Factor &nb♦★ sp;  (DF)

≤250×10-4

Method    same with Capaci♣∏tance

引線引出端強度

拉力

符合電(diàn)性能(néng)規定，引∏∑©線無斷裂或松落
      &nβ→'bsp;        

将電(diàn)容器(qì)其中一(yī)根<¶★引線于徑向方向施加下(xià)列荷重（參照(zhào)IEC-6§π ÷8-2-20）:荷重1K g;時(shí)間(jiān)10±1.0秒(m γ¶iǎo)

彎曲

将電(diàn)容器(qì)其中一(yī)根引線于¶δ&φ徑向方向施加0.5K g荷重施加兩個(gè)循環; 每個(gè)循環引線于兩‍ασ₽端子(zǐ)間(jiān)彎曲90º，複位2～3秒(miǎ ©'₹o)；然後向相(xiàng)反方向彎曲90º複位

Terminal  strength

Tensile

Should satisy electrical   &nbs&'p;characteristics;the terminals shou©∑¥ld be not break or loose

Apply one lead the &nbs★¥p;  specified stre₹αngth(Refer to IEC-68-2-20):Load ₹•£1Kg; Duration:10±1.0Sec

Bending

Apply    one∑$ § lead the 0.5Kg for two cycles;Each cy★×cle     includes:¥↓≈§90º once,Return to its initialπ₹→φ position for 2～3 Sec≤•,and then to the oppos®αite direction    once

可(kě)焊性

外(wài)觀

均勻覆蓋引線浸入部分(fēn)95%以上(shàn± g)

焊錫溫度:235±5℃  浸入時(shí)間(jiān): 2.5±≥≈>"0.5S
     浸入速度: 25±×∞ ♥6mm/s

耐焊接熱(rè)

外(wài)觀

無可(kě)見(jiàn)的(de)損傷或異常

預熱(rè)溫度:100～120℃
     © λ預熱(rè)時(shí)間(jiān):60秒(miǎo)內(nèi)
     溫度上(shàn☆♣←‍g)升率不(bù)超過2 ℃/秒(miǎo)
     焊錫溫度260∏φ±5℃, 浸入時(shí)間(jiān)10±<§' 0.5Sec.
     浸錫深度:引線根部起4±0.8m§•m
     試驗後處理(lǐ ÷§±):電(diàn)容器(qì)置于标準大(dà)氣壓條件(jiàλ™→'n)下(xià)放(fàng)置24±2小(x§✔iǎo)時(shí)後再進行(xíng)測量

容量變化(huà)率

±10%    (Y5P)₹×
     ±15%(Y5U )ε✔☆
     ±20%(Y5V £∑ε)

耐電(diàn)壓
     （引線之間(jiān₩σ)）

符合耐電(diàn)壓規定

損耗角正切

≤250×10-4   （1±0.2KHz，1"'.0±0.2 Vrms，20±2℃）

絕緣阻抗

≥5000 MΩ（500V60秒(miǎo)，20±2℃）

 濕熱(rè)試驗

外(wài)觀

無可(kě)見(jiàn)的(de)損傷或異常

溫度:40±2℃
     濕度:90～95%
     存♥‌放(fàng)時(shí)間(jiān):500+24小(xi‍≈§×ǎo)時(shí)。
     試驗後處理(lǐ)：電σσ→<(diàn)容器(qì)置于标準大(dà)氣壓條件(jià× ∑βn)下(xià)放(fàng)置1~2小(xiǎo)時(∞π★shí)後再進行(xíng)測量

容量變化(huà)率

±10%    (Y5P)
     ±1π¶5%(Y5U )
     ±20%(Y5V )󙧱

耐電(diàn)壓
     （引線之≠ §間(jiān)）

符合耐電(diàn)壓規定

損耗角正切

≤5.0×10-4  （Y5P、Y5U）★β≤
     ≤7.5×10σ&✘-4    （Y5V）
     （1±0.2KHz，α$£>1.0±0.2 Vrms，20±2℃）

絕緣阻抗

≥5000 MΩ（500V60秒(miǎo↓↑)，20±2℃）

Item

Performance

Test     Metho♦$↔εd

Solderability

Apperance

Should be no remarkable change

Soldering Temperature: 235↑Ω±5℃
Immersion Duration: 2.5±0.5S
Immersion Duration: 25±6mm/s

Soldering    H★↑≤$eat Resistance

Apperance

Should    be no rem λ←arkable change

Preheat Temperature:100～120℃
Preheat Duration:60 Sec. max
Temperature Increase by 2℃λφα /sec. max
Soldering Temperature:+260±5℃
Immersion    Durβ"ation: 10±0.5Sec
Immersion depth: 4±0™ Ω₩.8mm from the roots
After    test,allow it stay♥≠Ω alone for 24±2 Hours
at standard temperature₽→ and humidity before    makα¶‌♠ing measurement

Capacitance   &nb&•sp;Change Rate(△C/C)‍∏

±10% (Y5P)
±15%(Y5U )
±20%(Y5V )

Withstand    Voltage
(Between    δ≠'Terminals)

Shall    satisfy withstan‌♦∏>d voltage

DissipationFactor

≤250×10-4 (1±0.2KHz，1.0±0.2 Vrms，2&¥λ0±2℃）

Insulation    Resistance

≥5000 MΩ（500V 60Sec，20±2℃）

Humidity    ₹¥✔ ;Heat Resistance

Apperance

Should    be no remarkablβ$$"e change

Temperature: 40±2℃
Humidity: 90～95%RH
Storage Duration:500+2♦✘¶4Hours
After    test,allow it stay a∞∑★∑lone for 1～2 Hrs
at standard temperature and h©•×&umidity before  §∞ ₽  making measuremen$®¶↔t

Capacitance    Change Rat↑ ε>e(△C/C)

±10% (Y5P)
±15%(Y5U )
±20%(Y5V )

Withstand    Volλ$"₩tage
     (Bet←©ween    Termi♦♣γ÷nals)

Shall    satisfy withstand↓₹★ voltage

DissipationFactor

≤5.0×10-4  （Y5P、Y5U）
≤7.5×10-4    （Y5V）
(1±0.2KHz,1.0±0.2    §≤;Vrms，20±2℃）

Insulation    Resistancσ✔e

≥5000 MΩ（500V 60Sec，2$€0±2℃）

耐久性試驗

先施加三次脈沖如(rú)下(xià):

        &nbs>∑p;      

外(wài)觀

無可(kě)見(jiàn)的(de)損傷或異常

溫度:85±3℃40±2℃下(xià)施加負載：50Hz/60Hz 425 ε§≈'Vrms (Y2) or 680Vrms(Y1)
持續時(shí)間(jiān):1000小(xiǎo)時♦©‌≠(shí)
并每小(xiǎo)時(shí)将電(diàn)‍₹壓升高(gāo)到(dào)1000VAC，持續時(shí)間(jiān€ε¥)0.1s。。
試驗後處理(lǐ)：
電(diàn)容器(qì)置于标準大(dà)氣壓•‍條件(jiàn)下(xià)放(fàng)置24±≥₽☆2小(xiǎo)時(shí)後再進行(xíng)®$∏"測量

容量變化(huà)率

±20%

耐電(diàn)壓
（引線之間(jiān)）

符合耐電(diàn)壓規定

損耗角正切

≤5.0×10-4  （Y5P、Y¶δ 5U）
≤7.5×10-4    （Y5V）
(1±0.2KHz，1.0±0.2 Vrms，20±2℃∏★）

絕緣阻抗

≥5000 MΩ（500V60秒(miǎo)，20±2℃）

Long Life Testing

Pre-Loading    3 time∑≠‍♦s to the capacitor by puls voltage

          γ±δ‌     

Apperance

Should    b↕™≥₹e no remarkable change

Temperature:85±3℃40±2℃
Voltage Loading： 425 Vrms (Y2‌ ) or 680Vrms(Y1) 50Hz/60Hz
Duration:1000   &nbs£βp;Hrs AC Voltage up to1000V ₩♥∑，
Consistance    π₩;time:0.1sec
After test,allow it sta₩‌&>y alone for    ↕>'<;24±2Hrs at standard tem"₽♥perature and humidity before making≈↑ measurement

Capacitance    Change Ra↓≈↓te(△C/C)

±20%

Withstand    Voltagβ♥♠£e
 (Between    Termi•→'¶nals)

Shall    satisfy withst→•→and voltage

DissipationFactor

≤5.0×10-4  （Y5P、Y5U≈★λ）
≤7.5×10-4  &nbs↓≤p; （Y5V）
 (1±0.2KHz，1.0±0.2 Vrms，20±2 ©¥℃）

Insulation Resistance

≥5000 MΩ（500V60sec，2γ♥→0±2℃）